报告题目：光照下晶体结构相变的理论预言

报告人：周健    西安交通大学教授、博导

摘要：目前商用相变材料主要基于Ge-Sb-Te合金材料。这种材料具有两种局域稳定结构，即晶相和非晶相，它们的电阻值具有明显的差别。这样的相变属于重构型，所需能量较高。另一种相变，即位移型相变，是从有序相变为另一个有序相，需要较小的能量输入。为了设计微型结构相变材料，人们开始讨论二维材料的有序-有序相变。例如，过渡金属二硫化物（TMD，如MoS₂）单层材料具有2H和1T′两个相，理论和实验都证明了可以通过静电场的方式诱导2H→1T′结构相变。然而，这需要和样品直接接触。能否用非接触式的光场来诱导二维材料的结构相变？我们将介绍一种新的相变方案，即通过讨论光场中交变电场对二维各向异性材料的影响，通过第一性原理计算线偏振光场下二维各向异性材料的自由能变化，预言光照下二维材料的快速结构相变。

时间：2019年5月17日（星期五），上午10：00-11：30

地点：国重A403

报告人简介：周健，西安交通大学材料科学与工程学院教授，博士生导师，中组部第十四批青年特聘专家。于2008年和2013年获得北京大学学士和博士学位，此后分别在美国弗吉尼亚联邦大学和麻省理工学院从事博士后研究，现任西安交通大学微纳尺度材料行为研究中心教授。长期以来从事计算材料学的理论模拟，在低维材料的自旋电子学、拓扑材料、相变材料等领域从事材料设计和理论计算分析研究。共发表60余篇学术论文，其中以第一作者/通讯作者身份在PNAS，PRL，JACS，Angew. Chem.，Nano Lett.等杂志发表30余篇论文，包括5篇ESI高被引论文和1篇热点论文。这些结果被Science，Nat. Mater.，Chem. Rev.，Rev. Mod. Phys.，等杂志引用2500余次，h因子21，单篇最高被引500余次。应邀担任包括PNAS，AM，PRL，JACS在内的20余种物理、化学、材料领域国际学术期刊审稿人。

主办单位：科研处，材料科学与工程学院, 油气藏地质及开发工程国家重点实验室